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2N5415U4中文资料PNP Transistor数据手册Microchip规格书

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厂商型号

2N5415U4

参数属性

2N5415U4 封装/外壳为3-SMD,无引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

PNP Transistor
POWER BJT

封装外壳

3-SMD,无引线

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:08:00

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2N5415U4规格书详情

描述 Description

This family of 2N5415U4 and 2N5416U4 epitaxial planar transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications.  These devices are also available in the long-leaded TO-5, short-leaded TO-39 and low profile UA packaging.

简介

2N5415U4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N5415U4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N5415U4

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/485

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    U4

  • 描述:

    POWER BJT

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