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2N5401N	文件：252.13 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Transistor Description •General purpose amplifier •High voltage application Features •High collector breakdown voltage : VCBO= -160V, VCEO= -160V •Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) •Complementary pair with 2N5551N 文件：252.13 Kbytes 页数：4 Pages	AUK	AUK
2N5401NLBU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5401RLRA	文件：69.44 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：69.44 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5401RLRA	文件：83.66 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：83.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5401RLRAG	文件：69.44 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：69.44 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多2N5401N供应商更新时间2026-1-23 8:23:00