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2N5150中文资料Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Box数据手册NJS规格书

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厂商型号

2N5150

参数属性

2N5150 封装/外壳为TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Box

封装外壳

TO-205AA,TO-5-3 金属罐

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-10-1 15:22:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N5150

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Transition Frequency

    :60(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation

    :1000mW

  • Maximum Operating Temperature

    :200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :6V

  • Maximum DC Collector Current

    :2A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :80V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.46@100mA@1A|5@600mA@3AV

  • Maximum Collector Base Voltage

    :100V

  • Material

    :Si

  • Category

    :Bipolar Power

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