2N5115E3中文资料Transistor JFET P-CH 4-Pin 30V, 50mA, 0.5W TO-18 Bag数据手册Microchip规格书

厂商型号 |
2N5115E3 |
参数属性 | 2N5115E3 封装/外壳为TO-206AA,TO-18-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:JFET |
功能描述 | Transistor JFET P-CH 4-Pin 30V, 50mA, 0.5W TO-18 Bag |
封装外壳 | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 16:05:00 |
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2N5115E3规格书详情
描述 Description
This family of 2N5114 through 2N5116 JFET P-CH transistors are military screened to JANTXV equivalent for high-reliability applications. These transistors are available in a (TO-18) and surfacemont UB package. Microchip also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications.
特性 Features
JEDEC registered 2N5114 thru 2N5116 series
Low-profile ceramic surface mount package
JAN, JANTX, and JANTXV screening to MIL-PRF-19500/476 equivalents are available
(See part nomenclature.) RoHS compliant versions available (commercial grade only)
TO-18 and Low-profile UB packages
Lightweight.
简介
2N5115E3属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的2N5115E3晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。
技术参数
更多- 产品编号:
2N5115E3
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 包装:
散装
- FET 类型:
P 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
25pF @ 15V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-206AA,TO-18-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-18(TO-206AA)
- 描述:
JFET
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICONIX |
新 |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
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23+ |
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