2N4923中文资料1.0 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
2N4923 |
| 参数属性 | 2N4923 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 1A TO126 |
| 功能描述 | 1.0 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 10:31:00 |
| 人工找货 | 2N4923价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N4923规格书详情
描述 Description
The Power 3 A, 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.
特性 Features
• Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
• Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C
• Excellent Safe Operating Area
• Gain Specified to IC = 1.0 Amp
• Complement of PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920
• Pb-Free Packages are Available
简介
2N4923属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N4923晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2N4923
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.6
- IC Cont. (A)
：1
- VCEO Min (V)
：80
- VCBO (V)
：80
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：1.3
- VBE(on) (V)
：1.3
- hFE Min
：30
- hFE Max
：150
- fT Min (MHz)
：3
- PTM Max (W)
：30
- Package Type
：TO-225-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
TO126 |
4000 |
正品原装货价格低 |
询价 | |||
ST |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
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询价 | ||
ONS |
25+ |
TO225 |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-225AA,TO-126-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-225AA,TO-126-3 |
30000 |
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询价 | ||
ON安森美 |
20+ |
TO-225 |
26500 |
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ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
3580 |
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询价 | ||
ON |
2024 |
TO126 |
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ON |
23+ |
TO126 |
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Central |
22+ |
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989 |
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