2N4923数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
2N4923 |
参数属性 | 2N4923 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A TO126 |
功能描述 | 1.0 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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2N4923规格书详情
描述 Description
The Power 3 A, 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.
特性 Features
• Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
• Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C
• Excellent Safe Operating Area
• Gain Specified to IC = 1.0 Amp
• Complement of PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920
• Pb-Free Packages are Available
简介
2N4923属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N4923晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2N4923
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.6
- IC Cont. (A)
:1
- VCEO Min (V)
:80
- VCBO (V)
:80
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:1.3
- VBE(on) (V)
:1.3
- hFE Min
:30
- hFE Max
:150
- fT Min (MHz)
:3
- PTM Max (W)
:30
- Package Type
:TO-225-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
636 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
MOT |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-225AA,TO-126-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON |
24+/25+ |
8000 |
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询价 | |||
ON |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
18+ |
TO126 |
4000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-225AA,TO-126-3 |
6000 |
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询价 |