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2N4923数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N4923

参数属性

2N4923 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A TO126

功能描述

1.0 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
TRANS NPN 80V 1A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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2N4923规格书详情

描述 Description

The Power 3 A, 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

特性 Features

• Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
• Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C
• Excellent Safe Operating Area
• Gain Specified to IC = 1.0 Amp
• Complement of PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920
• Pb-Free Packages are Available

简介

2N4923属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N4923晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N4923

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.6

  • IC Cont. (A)

    :1

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :80

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :1.3

  • VBE(on) (V)

    :1.3

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :150

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :30

  • Package Type

    :TO-225-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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