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G2N4401	文件：130.8 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H2N4401	文件：40.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N4401isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •ComplementarytoH2N4403 •HighPowerDissipation:625mWat25°C •HighDCCurrentGain:100-300at150mA •HighBreakdownVoltage:40VMin.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
ST2N4401	文件：87.65 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
T2N4401	文件：254.17 Kbytes Page：7 Pages	LowPowerBipolarTransistors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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