2N4125分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2N4125 |
参数属性 | 2N4125 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.2A TO-92 |
功能描述 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
文件大小 |
31.01 Kbytes |
页面数量 |
1 页 |
生产厂商 | Samsung semiconductor |
企业简称 |
Samsung【三星】 |
中文名称 | 三星半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-23 9:13:00 |
人工找货 | 2N4125价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N4125三极管、2N4125晶体管、2N4125晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
30V
- 最大电流允许值:
0.2A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC178,BC205,BC213,BC252,BC308,BC513,BC558,BSW24,2N2906(A),2N2907(A),2N2906,2N2907,3CK3F,
- 最大耗散功率:
0.625W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-31
- vtest:
30
- htest:
999900
- atest:
0.2
- wtest:
0.625
2N4125规格书详情
AMPLIIFER TRANSISTOR
• Collector-Emitter Voltage: VCEO = 30V
• Collector Dissipation: PC(max) = 625mW
产品属性
- 产品编号:
2N4125BU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 2mA,1V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PNP 30V 0.2A TO-92
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
23+ |
CAN |
2500 |
特价库存 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
1240 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
原厂 |
2020+ |
250 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | |||
24+ |
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23+ |
TO-92 |
7000 |
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