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2N4125分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N4125

参数属性

2N4125 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.2A TO-92

功能描述

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

31.01 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

Samsung

中文名称

三星

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更新时间

2025-10-8 23:00:00

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2N4125规格书详情

AMPLIIFER TRANSISTOR

• Collector-Emitter Voltage: VCEO = 30V

• Collector Dissipation: PC(max) = 625mW

产品属性

  • 产品编号:

    2N4125BU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 2mA,1V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 0.2A TO-92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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