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深圳市高捷芯城科技有限公司

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2N4125

TITO-92

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-92-3

22412

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标准国际(香港)有限公司

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2N4125798

798

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FAITO-92

50000

2023+

原装现货

深圳市正迈科技有限公司

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FSC/ON原包装原封 □□

1240

23+

原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存

深圳市一线半导体有限公司

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7

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深圳市旺财半导体有限公司

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MOTTO92

66880

25+

原装正品,欢迎询价

深圳市川科科技有限公司

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CENTRAL-中环TO-92-3

36218

24+25+/26+27+

1
+:¥1.5
1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市恒创达实业有限公司

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FAITO92

6200

17+

100%原装正品现货

深圳市安富世纪电子有限公司

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HGFTO-92

7600

23+

专注配单,只做原装进口现货

天津市博通航睿技术有限公司

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ONTO-92

7000

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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原厂

250

25+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

现代芯城(深圳)科技有限公司

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N/A

48000

24+

一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

深圳市高捷芯城科技有限公司

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TITO-92

7734

25+

样件支持,可原厂排单订货!

深圳市得捷芯城科技有限公司

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TITO-92

7786

25+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市科恒伟业电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-92

9850

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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市豪迈兴电子有限公司

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FSCN/A

4326

24+

公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!

深圳市威尔健半导体有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO92

1000

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-92

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市诚利顺电子科技有限公司

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2N4125功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125_01制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier

2N4125_D11Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125_D29Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125_S00Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125BU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125RA功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

晶体管资料

  • 型号:

    2N4125

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC178,BC205,BC213,BC252,BC308,BC513,BC558,BSW24,2N2906(A),2N2907(A),2N2906,2N2907,3CK3F,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.2

  • wtest:

    0.625