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深圳市豪迈兴电子有限公司

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2N4125功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125_01制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier

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2N4125_S00Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125BU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N4125RA功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

晶体管资料

  • 型号：

    2N4125

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    30V

  • 最大电流允许值：

    0.2A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BC178,BC205,BC213,BC252,BC308,BC513,BC558,BSW24,2N2906(A),2N2907(A),2N2906,2N2907,3CK3F,

  • 最大耗散功率：

    0.625W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    A-31

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    30

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