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2N4125	文件：31.01 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AMPLIIFER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO = 30V • Collector Dissipation: PC(max) = 625mW 文件：31.01 Kbytes 页数：1 Pages	Samsung 三星	Samsung
2N4125	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：56.42 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N4125	文件：23.85 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents of 10 µA to 100 mA. 文件：23.85 Kbytes 页数：2 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4125	文件：61.79 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：61.79 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4125	文件：84.54 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 文件：84.54 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N4125	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	Samsung 三星	Samsung
2N4125	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 30V 0.2A 3-Pin TO-92	NJS	NJS
2N4125	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
2N4125_01	文件：61.79 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：61.79 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4125BU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.2A TO-92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Case：
TO-92
Configuration/ Description：
PNP General Purpose Amplifier/Switch
Polarity：
PNP
IC MAX：
200mA
PD MAX：
625mW
VCEO MAX：
30V
hFE MIN：
50
hFE MAX：
150
@VCE：
1V
VCE(SAT) MAX：
400mV
@IC：
50mA
@IB：
5mA
Cob MAX：
4.5pF
fT MIN：
200MHz
NF MAX：
5dB

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更多2N4125供应商更新时间2025-10-4 17:06:00

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