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2N4032 | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) GENERAL PURPOSE TRANSISTORS PNP SILICON 文件：52.63 Kbytes 页数：2 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | |
2N4032 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS 2N4030 And 2N4033 ARE PNP SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMLIFIER, TRANSISTORS. 文件：209.28 Kbytes 页数：4 Pages | CDIL | CDIL | |
2N4032 | Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：55.52 Kbytes 页数：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
2N4032 | Power Transistor Description: A Silicon PNP transistor in a TO-39 type case designed primarily for amplifier and switching applications. This device features high breakdown voltage, low leakage current. Low capacity, and beta useful over an extremely wide current range. Description Transistor, PNP, 1A, 60V, T 文件：301.22 Kbytes 页数：3 Pages | MULTICOMP 易络盟 | MULTICOMP | |
2N4032 | GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES They are silicon planar epitaxial PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are intended for large signal, low noise industrial applications. Compliance to RoHS. 文件：235.64 Kbytes 页数：3 Pages | COMSET | COMSET | |
2N4032 | GENERAL PURPOSE HIGH-VOLTAGE • High Voltage: -80V (2N4031, 3) • High Gain: 100 min. @ 100 mA (2N4032, 3) • Low VCE(sat): -0.15 @ 150 mA 文件：480.54 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N4032 | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 60V IC = 1A 文件：15.37 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N4032 | GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES 文件：84.02 Kbytes 页数：4 Pages | COMSET | COMSET | |
2N4032 | 0.5W PNP Medium Power BJT Transistor This BJT is packaged in TO-39 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish. | Digitron | Digitron | |
2N4032 | Transistor | Comset | Comset |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC161,BC304,BCX60,BFX38,BFX39,BSW40,2N2904,2N2904(A),2N2905,2N2905(A),3CK10C,
- 最大耗散功率：
0.8W
- 放大倍数：
β>100
- 图片代号：
c-40
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
1
- wtest：
0.8
详细参数
- 型号：
2N4032
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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