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2N3906	文件：169.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>−40V(IC=−1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2N3906	文件：304.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
2N3906	文件：46.96 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N3904. FEATURES 1.Lowcurrent(max.200mA) 2.Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS 1.High-speedswitchinginindustrialapplications.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
G2N3906	文件：200.26 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
G2N3906	文件：206.66 Kbytes Page：1 Pages	TheG2N3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
H2N3906	文件：37 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature.............................................................-55~+150°C JunctionTemperature...........................	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

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