2N3905数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
2N3905 |
| 参数属性 | 2N3905 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 0.2A TO92-3 |
| 功能描述 | PNP General Purpose Amplifier |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 19:45:00 |
| 人工找货 | 2N3905价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N3905规格书详情
描述 Description
PNP General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 100 mA.
简介
2N3905属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N3905晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2N3905_D29Z
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，1V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
TRANS PNP 40V 0.2A TO92-3
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