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2N3904T中文资料200 mA, 40 V NPN General Purpose Bipolar Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N3904T

参数属性

2N3904T 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3

功能描述

200 mA, 40 V NPN General Purpose Bipolar Junction Transistor
TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 8:48:00

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2N3904T规格书详情

描述 Description

This device is designed as a general-purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as aswitch and to 100 MHz as an amplifier.

简介

2N3904T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N3904T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N3904T

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.3

  • IC Cont. (A)

    :0.2

  • VCEO Min (V)

    :40

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.65

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :300

  • fT Min (MHz)

    :300

  • PTM Max (W)

    :1.5

  • Package Type

    :TO-92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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