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2N3789

EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS

文件:82.33 Kbytes 页数:4 Pages

COMSET

2N3789_12

EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS

文件:82.33 Kbytes 页数:4 Pages

COMSET

2N3789_15

SILICON PNP POWER TRANSISTORS

文件:494.36 Kbytes 页数:2 Pages

CENTRAL

2N3789XSMD

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed

文件:14.67 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N3780

Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-5

NJS

NJS

2N3781

Trans GP BJT PNP 100V 1A 3-Pin TO-5

NJS

NJS

2N3789

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N3781

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

2N3782

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

2N3788

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N3789

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    >4MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD546A,BD316,BDX18,BD250A,2N6029,2N6030,2N6031,2N6229,2N6230,2N6231,2N6247,3CD15C,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍数:

    β>25

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    4000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    150

产品属性

  • 产品编号:

    2N3789

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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全新原装正品现货,支持订货
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2N3789
25+
3
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TO-3
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Microchip Technology
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更多2N378供应商 更新时间2026-1-17 16:01:00