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2N3705 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistor TO-92 Plastic Package For Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with T 文件：355.15 Kbytes 页数：4 Pages | CDIL | CDIL | |
2N3705 | Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：56.42 Kbytes 页数：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
2N3705 | PNP NPN SILICON GENERAL PURPOSE AF TRANSISTORS
文件：311.38 Kbytes 页数：4 Pages | MICRO-ELECTRONICS | MICRO-ELECTRONICS | |
2N3705 | SILICON NPN TRANSISTOR 文件：59.45 Kbytes 页数：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
2N3705 | General Purpose Transistors 文件：121.76 Kbytes 页数：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.8A
- 最大工作频率：
>100MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC337,BC637,BC639,3SD667,
- 最大耗散功率：
0.36W
- 放大倍数：
β>50
- 图片代号：
A-20
- vtest：
50
- htest：
100000100
- atest：
0.8
- wtest：
0.36
详细参数
- 型号：
2N3705
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 30V 800mA BULK HFE/150
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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