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2N3637	文件：502.86 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3637 is a PNP Silicon Transistor, mounted in a hermetically sealed TO-39 package, designed for general purpose amplifier and high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：502.86 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3637	文件：204.2 Kbytes Page：2 Pages	Transistor Description: The 2N3637 PNP silicon epitaxial planer transistors in a TO-39 type package designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits. Description Transistor, Bipolar, Metal, TO-39, PNP 文件：204.2 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N3637	文件：77.97 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR RF TRANSISTORS SILICON PLANAR RF TRANSISTORS The 2N3636 and 2N3637 are PNP transistors mounted in TO-39 metal case. They are intended for high voltage switching and Low Power Amplifier. Compliance to RoHS 文件：77.97 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N3637	文件：94.17 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT Metal-Can High-Voltage/High-Current Transistors 文件：94.17 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3637	文件：301.79 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistor Bare Die Features:  High Breakdown Voltage  Low VCE(sat)  Characterized at temperature extremes  High Reliability Gold Back Metal  High Reliability tested grades for Military + Space 文件：301.79 Kbytes 页数：3 Pages	SS	SS
2N3637	文件：115.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PNP TRANSISTOR FEATURES • High Voltage Switching • Low Power Amplifier Applications • Hermetic TO39 Package APPLICATIONS: • General Purpose • High Speed Saturated Switching 文件：115.88 Kbytes 页数：3 Pages	TTELEC	TTELEC
2N3637L	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 文件：57.89 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3637L	文件：81.68 Kbytes Page：6 Pages	Low Power Transistors Low Power Transistors PNP Silicon Features • MIL−PRF−19500/357 Qualified • Available as JAN, JANTX, JANTXV and JANHC 文件：81.68 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3639	文件：277.17 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS PNP SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS 文件：277.17 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3640	文件：277.17 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS PNP SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS 文件：277.17 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
2N3634L
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-5
描述：
TRANS PNP 140V 1A TO5

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