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2N3439分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N3439

参数属性

2N3439 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 350V 1A TO39

功能描述

Low Power Transistor

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

文件大小

94.81 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N3439(L,S)

  • 别名:

    2N3439三极管、2N3439晶体管、2N3439晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_视频输出 (Vid)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    450V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSS49,BUX54,BUX55,BUX64,BUY59,BUY60,2N5095,3DK304B,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    450

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

2N3439规格书详情

Low Power Transistor

NPN Silicon

特性 Features

• MIL−PRF−19500/368 Qualified

• Available as JAN, JANTX, and JANTXV

• Hermetically Sealed Commercial Product with Option for Military

Temperature Range Screening

产品属性

  • 产品编号:

    2N3439

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 4mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 20mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    15MHz

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 350V 1A TO39

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROCHIP(美国微芯)
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