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2N2907AUB	文件：1.80721 Mbytes Page：4 Pages	SurfaceMountNPGeneralPurposeTransistor Features: ·Ceramic4pinsurfacemountpackage ·Miniaturepackagetominimizaecircuitboardarea ·Hermeticallysealed ·Footprintandpin-outmatchesSOT-23packagetransistors ·ProcessedperMIL-PRF-19500/291	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
2N2907AUB	文件：47.63 Kbytes Page：2 Pages	Type2N2907AUBGeometry0600PolarityPNP Chiptype2C2907AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features:Radiationgraphsavailable	Semicoa Semicoa Semiconductor	Semicoa
2N2907AUB	文件：31.65 Kbytes Page：1 Pages	ChipType2C2907AGeometry0600PolarityPNP Chiptype2C2907AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features:Radiationgraphsavailable	Semicoa Semicoa Semiconductor	Semicoa
2N2907AUB	文件：235.01 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPTransistor Description SemicoaSemiconductorsoffers: •ScreeningandprocessingperMIL-PRF-19500AppendixE •JANlevel(2N2907AUBJ) •JANTXlevel(2N2907AUBJX) •JANTXVlevel(2N2907AUBJV) •JANSlevel(2N2907AUBJS) •QCItotheapplicablelevel •100dievisualinspectionperMIL-STD-750method2	Semicoa Semicoa Semiconductor	Semicoa
2N2907AUB	文件：566.19 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountPNPGeneralPurposeTransistor Description: The2N2907AUB,2N2907AUBTXand2N2907AUBTXVareminiature,hermeticallysealed,ceramicsurfacemountgeneralpurposeswitchingtransistors.TheminiaturethreepinceramicpackageisidealforupgradingcommercialgradecircuitstomilitaryreliabilitylevelswhereplasticSOT‐23de	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
2N2907AUB	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N2907AUB	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATIONHARDENED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N2907AUBC	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATIONHARDENED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N2907AUBG	文件：276.79 Kbytes Page：14 Pages	Rad-hard60V,0.6APNPtransistor Features •Hermeticpackages •ESCCqualified •100krad Description The2N2907AHRisabipolartransistorabletooperateundersevereenvironment conditionsandradiationexposureprovidinghighimmunitytototalionizingdose (TID). QualifiedasperESCC5202/001specificationandava	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
2N2907AUBT	文件：276.79 Kbytes Page：14 Pages	Rad-hard60V,0.6APNPtransistor Features •Hermeticpackages •ESCCqualified •100krad Description The2N2907AHRisabipolartransistorabletooperateundersevereenvironment conditionsandradiationexposureprovidinghighimmunitytototalionizingdose (TID). QualifiedasperESCC5202/001specificationandava	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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