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2N2605

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

文件:157.78 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2605CSM

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1

文件:14.88 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N2605UB

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

文件:157.78 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2608

P-CHANNEL J-FET

文件:56.1 Kbytes 页数:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2609

P-CHANNEL J-FET

文件:55.96 Kbytes 页数:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2609_08

P-CHANNEL J-FET

文件:55.96 Kbytes 页数:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2604

PNP Silicon Low-Power -60V, -0.03A

This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, low-power 2N2604 and 2N2605 transistors for use in low noise level amplifier applications. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type MIL-PRF-19500/354 and two

Microchip

微芯科技

2N2605

PNP Silicon Low-Power -60V, -0.03A

This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, low-power 2N2604 and 2N2605 transistors for use in low noise level amplifier applications. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type MIL-PRF-19500/354 and two

Microchip

微芯科技

2N2604UB

PNP Transistor

Microchip

微芯科技

2N2604UB

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SMALL-SIGNAL BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N2605(A)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_低噪放大 (ra

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.03A

  • 最大工作频率:

    >30MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC214,BC315,BC416,BC560,2N3798,2N3799,2SA970,2SA1016,2SA1038,2SA1039,2SA1136,3CG170A,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-8

  • vtest:

    60

  • htest:

    30000100

  • atest:

    0.03

  • wtest:

    0.4

产品属性

  • 产品编号:

    2N2605

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AB,TO-46-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-46-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.03A TO46-3

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更多2N260供应商 更新时间2026-1-17 16:30:00