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2N2608

P-CHANNEL JFET

GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES

文件:4.13074 Mbytes 页数:122 Pages

INTERSIL

2N2609

P-CHANNEL JFET

GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES

文件:4.13074 Mbytes 页数:122 Pages

INTERSIL

2N2609

Junction FETs Low Frequency/ Low Noise

N-Channel 2N4220 2N4221 2N4222 2N4338 2N4339 2N4340 2N4341 2N5457 2N5458 2N5459 2N5556 2N5557 PN3685 PN3686 PN3687 PN4302 PN4303 PN4304 P-CHANNEL 2N2608 2N2609 2N3820 2N5020 2N5460 2N5461 2N5462 PN4360

文件:58.82 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

2N2609

P-CHANNEL J-FET

P-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/296

文件:45.41 Kbytes 页数:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2609

P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor • Low-Level Choppers • Data Switches • Commutators

文件:425.85 Kbytes 页数:1 Pages

INTERFET

2N2609

20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A

GENERAL DESCRIPTION - The 2N2609 is a silicon Planar* P-channel field-effect transistor designed primarlly for low power audio-frequency applications in industrial service.

文件:121.83 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N2604

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

文件:157.78 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2604_1

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

文件:157.78 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2604_15

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:58.91 Kbytes 页数:2 Pages

CENTRAL

2N2604UB

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

文件:157.78 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

晶体管资料

  • 型号:

    2N2605(A)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_低噪放大 (ra

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.03A

  • 最大工作频率:

    >30MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC214,BC315,BC416,BC560,2N3798,2N3799,2SA970,2SA1016,2SA1038,2SA1039,2SA1136,3CG170A,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-8

  • vtest:

    60

  • htest:

    30000100

  • atest:

    0.03

  • wtest:

    0.4

产品属性

  • 产品编号:

    2N2605

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AB,TO-46-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-46-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.03A TO46-3

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更多2N260供应商 更新时间2026-1-17 16:30:00