2N1131L分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
2N1131L规格书详情
LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/177
产品属性
- 产品编号:
2N1131L
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/177
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.3V @ 15mA,150mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 150mA,10V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AA,TO-5-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-5AA
- 描述:
POWER BJT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
24+ |
SMD |
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ST |
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