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2N1131L	文件：56.61 Kbytes Page：3 Pages	LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/177 文件：56.61 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N1131L	文件：160.59 Kbytes Page：3 Pages	LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/177 文件：160.59 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N1131L	文件：149.35 Kbytes Page：3 Pages	LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR 文件：149.35 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N1131L	文件：15.26 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 文件：15.26 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N1131L	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip
2N1131L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-205AA，TO-5-3 金属罐；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
2N1131L
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/177
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-5AA
描述：
POWER BJT

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更多2N1131L供应商更新时间2025-9-30 15:49:00

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