2N1131分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N1131 |
| 参数属性 | 2N1131 封装/外壳为TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 文件大小 |
160.59 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 8:59:00 |
| 人工找货 | 2N1131价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N1131规格书详情
LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/177
产品属性
- 产品编号：
2N1131
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/177
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 15mA，150mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
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