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Marking：2E1L30Y；Package：SOT669；N-channel 30 V, 2.2 mOhm, ASFET for hotswap with enhanced SOA in LFPAK56 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeASFETforhotswapwithenhancedSOAinLFPAK56package optimizedforlowRDSonandstrongsafeoperatingarea,optimizedforhot-swap,inrushandlinearmode applications. 2.Featuresandbenefits •FullyoptimizedSafeOperatingArea(SOA)for | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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