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2DD1766R	文件：234.89 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (2DB1188) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：234.89 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DD1766R-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 2A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES
2DD1766P	文件：234.89 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (2DB1188) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：234.89 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DD1766Q	文件：234.89 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (2DB1188) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：234.89 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
2DD1766R
功能描述：
两极晶体管 - BJT 1000W 32Vceo
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2DD1766R供应商更新时间2026-2-1 9:03:00

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