2DB1386Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2DB1386Q |
参数属性 | 2DB1386Q 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 5A SOT89-3 |
功能描述 | PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-243AA |
文件大小 |
230.47 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
人工找货 | 2DB1386Q价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2DB1386Q规格书详情
特性 Features
• BVCEO > -20V
• IC = -5A High Continuous Current
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -1V @ -4A
• Complementary NPN Type: 2DD2098
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• For automotive applications requiring specific change
control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP
capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),
please contact us or your local Diodes representative.
https://www.diodes.com/quality/product-definitions/
产品属性
- 产品编号:
2DB1386Q-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 100mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
SOT-89-3
- 描述:
TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
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DIODES/美台 |
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DIODES |
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SOT89 |
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