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2B*	文件：129.259 Kbytes Page：7 Pages	型号：BC849BW；Package：SOT-323；NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	恩XP	恩XP

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2B*

文件：129.259 Kbytes

Page：7 Pages

型号：BC849BW；Package：SOT-323；NPN general purpose transistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

恩XP

详细参数

型号：
2B*
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2B*供应商更新时间2025-8-4 14:13:00

详细参数

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