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28F010	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F0101024K(128KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F010CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F010addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewrit	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
28F0101024K	文件：895.48 Kbytes Page：33 Pages	28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
A28F010	文件：300.41 Kbytes Page：23 Pages	1024K(128Kx8)CMOSFLASHMEMORY	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
AM28F010	文件：492.15 Kbytes Page：35 Pages	1Megabit(128Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemory GENERALDESCRIPTION TheAm28F010isa1MegabitFlashmemoryorganizedas128Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F010ispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedto	AMDAdvanced Micro Devices 超威半导体美国超威半导体公司	AMD
AM28F010A	文件：464.59 Kbytes Page：35 Pages	1Megabit(128Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemorywithEmbeddedAlgorithms GENERALDESCRIPTION TheAm28F010Aisa1MegabitFlashmemoryorganizedas128Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F010Aispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedt	AMDAdvanced Micro Devices 超威半导体美国超威半导体公司	AMD
CAT28F010	文件：113.3 Kbytes Page：16 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F010	文件：113.3 Kbytes Page：16 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F010	文件：113.3 Kbytes Page：16 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F010	文件：113.3 Kbytes Page：16 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F010	文件：100.41 Kbytes Page：14 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F010isahighspeed128Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. FEATURES ■Fast	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst

详细参数

型号：
28F010
制造商：
INTEL
制造商全称：
Intel Corporation
功能描述：
1024K(128K x 8) CMOS FLASH MEMORY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	28F010		24+		189		询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	28F010	INT	24+	DIP	4326	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
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深圳市昊创电子有限公司	28F010	AMD/INT	1824+	PLCC32	2000	原装现货专业代理,可以代拷程序	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	28F010	INT	24+	DIP	6540	原装现货/欢迎来电咨询	询价
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深圳市睿芯铭科技有限公司	28F010	INTEL		DIP	19	现货库存	询价
深圳市博浩通科技有限公司	28F010-12	FUJITSU	23+	DIP32	1158	全新原装现货	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	28F010-12	F	24+	TSOP32	3629	原装优势!房间现货!欢迎来电!	询价
深圳市芯诚实创科技有限公司	28F010-150	INTEL	2022	DIP	2600		询价

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