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25N06	文件：780.34 Kbytes Page：8 Pages	型号：25N06；Package：TO-252；60V N-Channel Power Mosfet Features VDS=60V,ID=25A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwitching LowONResistance(Rdson≤29mΩ) LowGateCharge LowReversetransfercapacitances 100SinglePulseavalancheenergyTest	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司
25N06	文件：735.18 Kbytes Page：8 Pages	型号：25N06；Package：TO-252；60V N-Channel Power Mosfet GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=60V,ID=25A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwit	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体

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型号：25N06；Package：TO-252；60V N-Channel Power Mosfet

Features VDS=60V,ID=25A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwitching LowONResistance(Rdson≤29mΩ) LowGateCharge LowReversetransfercapacitances 100SinglePulseavalancheenergyTest

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

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型号：25N06；Package：TO-252；60V N-Channel Power Mosfet

GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=60V,ID=25A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwit

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

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详细参数

型号：
25N06
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
25A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市美思瑞电子科技有限公司	25N06	UMW 友台	23+	TO-252	725000	原装正品，实单请联系	询价
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