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AV2030	文件：195.29 Kbytes Page：13 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheAVICAV2030isamonolithicaudiopoweramplifierintegratedcircuit. FEATURES Verylowexternalcomponentrequired. Highcurrentoutputandhighoperatingvoltage. Lowharmonicandcrossoverdistortion. Built-inOvertemperatureprotection. *Shortc	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
AXS2030	文件：1.4548 Mbytes Page：9 Pages	5.2WSingleChannelClassAB/DAudioPowerAmplifier Features AB/Dswitchingfunction ClassDoutputpower: -5.2W(VDD=5.0V,RL=2Ω,THD+N=10%) ClassABoutputpower: -5.2W(VDD=5.0V,RL=2Ω,THD+N=10%) Operatingvoltage:2.5Vto5.5V Lowdistortionandlownoise Power-onPOPsoundsuppressionfunction Shutdowncurrent	CHIPSOURCETEKShenZhen ChipSourceTek Technology Co.,Ltd. 矽源特科技深圳市矽源特科技有限公司	CHIPSOURCETEK
BF2030	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF2030	文件：16.47 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5V) •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF2030	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF2030R	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF2030R	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF2030W	文件：16.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5V) •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF2030W	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF2030W	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
2030-RLSJW
制造商：
ALLEN-BRADLEY
制造商全称：
Allen-Bradley
功能描述：
ElectroGuard

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2030WOYUQE	I	23+	BGA	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市一线半导体有限公司	2030WOZBQ1	INTEL	24+	BGA	370		询价
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