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BF2030R分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BF2030R

参数属性

BF2030R 封装/外壳为SOT-143R;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R

封装外壳

SOT-143R

文件大小

277.67 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 18:21:00

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BF2030R规格书详情

BF2030R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BF2030R晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

• For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz

• Operating voltage 5V

• Pb-free (RoHS compliant) package1)

• Qualified according AEC Q101

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BF2030RE6814HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    N 通道

  • 频率:

    800MHz

  • 增益:

    23dB

  • 额定电流(安培):

    40mA

  • 噪声系数:

    1.5dB

  • 封装/外壳:

    SOT-143R

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT-143R-3D

  • 描述:

    MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R

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