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STH200N10WF7-2

丝印:200N10WF7;Package:H2PAK-2;N-channel 100 V, 3.2 mΩ typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET N-channel 100 V, 3.2 mΩ typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET

Features • Best-in-class SOA capability • High current surge capability • Extremely low on-resistance Applications • Hot-swap • Electronic fuse • Load switch • In-rush current limiter Description This N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gat

文件:377.43 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

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更多200N10WF7供应商 更新时间2025-9-21 16:12:00