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丝印:200N10WF7;Package:H2PAK-2;N-channel 100 V, 3.2 mΩ typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET N-channel 100 V, 3.2 mΩ typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET Features • Best-in-class SOA capability • High current surge capability • Extremely low on-resistance Applications • Hot-swap • Electronic fuse • Load switch • In-rush current limiter Description This N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gat 文件:377.43 Kbytes 页数:14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
H2PAK-2 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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74000 |
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ST/意法半导体 |
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NK/南科功率 |
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TO-263-2 |
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国产 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST/意法 |
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SOT263 |
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SANKEN |
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SOP-24() |
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STM |
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TO-263 |
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ST |
10+ |
TO-263 |
1 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
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更新时间2025-9-21 16:12:00
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