| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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HITACHI/日立TO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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HITACHI/日立TO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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HITACHITO-3 |
100 |
专业铁帽 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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HITACHITO-3 |
100 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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SOT |
20000 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-92 |
608900 |
松下 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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TOSHIBATO-3P(N)IS |
8858 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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TOSHIBA |
26 |
11+ |
原装正品香港现货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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MAT |
3218 |
98 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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TOSTO-3P |
6200 |
17+ |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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TOSHIBA |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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TOSTO3P |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3PF |
12000 |
23+ |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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TOSHIBATO-3P |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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tosto3pf |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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PHNA |
1786 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3PF |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3PF |
5623 |
22+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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TOSHIBA/东芝3P |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
2SK136采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
2SK136图片
2SK1369中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK136制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:SI N CHANNEL JUNCTION
2SK1362功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR
2SK1363制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK1365功能描述:MOSFET N-CH 1KV 7A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK1365(F)功能描述:MOSFET N-ch 1000V 7A 1.5 ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK1365_06制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications
2SK1365_09制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Power Supply Applications
