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MM1Z12	文件：896.36 Kbytes Page：3 Pages	Siliconplanarzenerdiodeinasmallplastic	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MM1Z12	文件：388.91 Kbytes Page：4 Pages	500mWSiliconPlanarZenerDiodes Features •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitablefor surfacemounteddesign •Toleranceapproximately±5	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MM1Z12	文件：890.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Siliconplanarzenerdiodeinasmallplastic Features •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitablefor •surfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges:nom.2.0to120V(E24range) •Toleranceapproximately+/-5	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MM1Z12	文件：272.29 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Features •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Toleranceapproximately±5	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MM1Z12	文件：108.69 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES VZ:2.4to75V PD:500mW FEATURES: TotalPowerDissipation500mW WideZenerReverseVoltageRange2.4Vto75V PackageDesignedforOptimalAutomatedBoardAssembly SmallPackageSizeforHighDensityApplications *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
MM1Z12	文件：236.29 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Features •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Toleranceapproximately±5	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MM1Z12	文件：1.69685 Mbytes Page：3 Pages	0.5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES Totalpowerdissipationmax500mW Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign Toleranceapproximately5 Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secondsatterminals ComponentinaccordancetoRoHS2011/65/EU	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MM1Z12	文件：544.59 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
MM1Z12B	文件：593.8 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Features •Totalpowerdissipation:max.500mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Highreliability	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MM1Z12B	文件：83.93 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES VZ:2.0to39V PD:500mW FEATURES: TotalPowerDissipation500mW SmallPlasticPackagesuitableforsurfacemounteddesign Toleranceapproximately±2 WideZenerReverseVoltageRange2.0Vto39V *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

产品属性

产品编号：
1Z12UM
制造商：
Altech Corporation
类别：
电路保护 > 断路器
系列：
V-EA
包装：
散装
安装类型：
DIN 轨道
断路器类型：
热磁
额定电流（安培）：
12A
致动器类型：
按片
照明：
无
认证机构：
UL508
描述：
1Z12UM 12A CIRCUIT BREAKER Z CHA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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