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1SS226	文件：183.37 Kbytes Page：3 Pages	150mWSWITCHINGDIODE Features •LowCurrentLeakage. •SurfaceMountSOT-23Package •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF MaximumRatings •OperatingTemperature:-55°Cto+125°C •StorageTemperature:-55°Cto+150	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1SS226	文件：221.93 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes100mAMPERES80VOLTS SWITCHINGDIODE100mAMPERES80VOLTS Features: FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion HighConductance ForGeneralPurposeSwitchingApplications	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
1SS226	文件：135.71 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance Applications •Ultrahighspeedswitchingapplication	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1SS226	文件：35.22 Kbytes Page：1 Pages	ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION Features ●SmallPackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(Typ.) ●FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.) ●SmallTotalCapacitance:CT=0.9pF(Typ.)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SS226	文件：287.68 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Fastswitching. ●Powerdissipation.PD:150mW(Tamb=25℃) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS226	文件：196.41 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1SS226	文件：130.85 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION) UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1SS226-CAR	文件：117.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance •-CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringunique siteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101qualifiedand PPAPcapable. Applications •Ultrahighspeedswitchingapplica	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
1SS226-TP	文件：219.91 Kbytes Page：3 Pages	150mWSWITCHINGDIODE	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1SS226W	文件：295.06 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance Applications •Ultrahighspeedswitchingapplication	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

详细参数

型号：
1SS226(T5L
制造商：
Toshiba
功能描述：
DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1SS226(T5L供应商更新时间2025-6-28 17:00:00

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