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1SS193S,LF(D	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
1SS193	文件：127.44 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION) UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
1SS193	文件：185.55 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
1SS193	文件：361.6 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●LowforwardvoltageVF(3)=0.9V(typ). ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ). ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ). APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1SS193	文件：34.99 Kbytes Page：1 Pages	ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION Features ●SmallPackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(Typ.) ●FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.) ●SmallTotalCapacitance:CT=0.9pF(Typ.)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
1SS193	文件：221.93 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes100mAMPERES80VOLTS SWITCHINGDIODE100mAMPERES80VOLTS Features: FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion HighConductance ForGeneralPurposeSwitchingApplications	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
1SS193	文件：92.18 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23SWITCHINGDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
1SS193	文件：393.05 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDIODES FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
1SS193	文件：68.36 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:100mA ReverseVoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
1SS193	文件：122.09 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODES SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
1SS193	文件：1.42598 Mbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司
1SS193	文件：244.47 Kbytes Page：2 Pages	SwitChingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
1SS193	文件：209.01 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
1SS193	文件：785.21 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	ZHAOXINGWEIZhaoxingwei Electronics ., Ltd 兆兴威深圳市兆兴威电子有限公司
1SS193	文件：88.27 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES •Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) •ForwardCurrent IF:100mA •ReverseVoltage VR:80V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
1SS193	文件：77.69 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●LowforwardvoltageVF(3)=0.9V(typ). ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ). ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ). APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD 明阳国际贸易广州市明阳国际贸易有限公司
1SS193	文件：243.39 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●LowforwardvoltageVF(3)=0.9V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea
1SS193	文件：1.36627 Mbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode SwitchingDiode FEATURES •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
1SS193	文件：125.42 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1SS193	文件：171.38 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

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产品属性

产品编号：
1SS193S,LF(D
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
100mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
3pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
S-Mini
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	1SS193S,LF(D	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	S-Mini	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市创新迹电子有限公司	1SS193S.LF(D)	TOSHIBA/东芝	23+	SOT23-3	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	1SS193S.LF(D)	TOSHIBA/东芝	23+	SOT23-3	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	1SS193T/R	TOS	98		82000		询价
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更多1SS193S供应商更新时间2024-4-26 15:00:00

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