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1SS193	文件：243.39 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●LowforwardvoltageVF(3)=0.9V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS193	文件：77.69 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●LowforwardvoltageVF(3)=0.9V(typ). ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ). ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ). APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	KISEMICONDUCTOR Kwang Myoung I.S. CO.,LTD	KISEMICONDUCTOR
1SS193	文件：88.27 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES •Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) •ForwardCurrent IF:100mA •ReverseVoltage VR:80V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
1SS193	文件：785.21 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
1SS193	文件：209.01 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
1SS193	文件：244.47 Kbytes Page：2 Pages	SwitChingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS193	文件：1.42598 Mbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1SS193	文件：122.09 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODES SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
1SS193	文件：68.36 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:100mA ReverseVoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
1SS193	文件：393.05 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDIODES FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS

产品属性

产品编号：
1SS193-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
100mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
3pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23

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