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1S5

文件：125.74 Kbytes

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型号：ZXTN4006Z；Package：SOT-89；200V NPN LED DRIVING TRANSISTOR IN SOT89

Features •BVCEO>200V •MaxcontinuouscurrentIC=1A •hFE>100@IC=150mA,VCE=320mV •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFreeGreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications •LEDTVbacklight

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

1S5663A

文件：1.30482 Mbytes

Page：37 Pages

型号：1EDS5663H；Package：PG-DSO-16-30；GaN EiceDRIVER??product family Single-channel functional

Description CoolGaN™andsimilarGaNswitchesrequireacontinuousgatecurrentofafewmAintheironstate.Besides,duetolowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingtransients,anegativeoffvoltagelevelmaybeneeded.ThewidelyusedRC-coupledgatedriverfulfilstheserequiremen

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

1S56

文件：4.29554 Mbytes

Page：44 Pages

型号：TPS74510PQWDRVRQ1；Package：WSON；TPS745-Q1 500-mA LDO With Power-Good in Small Wettable Flank WSON Packages

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

1S56

文件：4.29946 Mbytes

Page：45 Pages

型号：TPS74510PQWDRVRQ1；Package：WSON；TPS745-Q1 500-mA LDO With Power-Good in Small Wettable Flank WSON Packages

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

1S56

文件：4.29946 Mbytes

Page：45 Pages

型号：TPS74510PQWDRVRQ1；Package：WSON；TPS745-Q1 500-mA LDO With Power-Good in Small Wettable Flank WSON Packages

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

1S56

文件：4.05798 Mbytes

Page：41 Pages

型号：TPS74510PQWDRVRQ1；Package：WSON；TPS745-Q1 500-mA LDO With Power-Good in Small Wettable Flank WSON Packages

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

1S56

文件：4.29987 Mbytes

Page：45 Pages

型号：TPS74510PQWDRVRQ1；Package：WSON；TPS745-Q1 500-mA LDO With Power-Good in Small Wettable Flank WSON Packages

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

1s56

文件：4.3012 Mbytes

Page：45 Pages

型号：TPS74510PQWDRVRQ1；Package：WSON；TPS745-Q1 500-mA LDO With Power-Good in Small Wettable Flank WSON Packages

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

  • 型号：

    1S5

  • 功能描述：

    MOSFET Pwr Hi Voltage Trans SOT89 T&R 1K

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

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更多1S5供应商 更新时间2025-7-31 14:17:00

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