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CAHCT1G00QDCKRQ1	文件：959.33 Kbytes Page：22 Pages	Marking：1PB；Package：SC70；SN74AHCT1G00-Q1 Automotive 2-Input Positive-NAND Gates 1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications: –Devicetemperaturegrade1:-40°Cto+125°C –DeviceHBMESDclassificationlevel2 –DeviceCDMESDclassificationlevelC4B •Operatingrangeof4.5Vto5.5V •Lowpowerconsumption,10-μAmaximumICC •±8-mAoutputdriveat	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CAHCT1G00QDCKRQ1	文件：1.14614 Mbytes Page：25 Pages	Marking：1PB；Package：SC70；SN74AHCT1G00-Q1 Automotive 2-Input Positive-NAND Gates 1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications: –Devicetemperaturegrade1:-40°Cto+125°C –DeviceHBMESDclassificationlevel2 –DeviceCDMESDclassificationlevelC4B •Operatingrangeof4.5Vto5.5V •Lowpowerconsumption,10μAmaximumICC •±8mAoutputdriveat5V	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TCR8BM115A	文件：1.18428 Mbytes Page：15 Pages	Marking：1PB；Package：DFN5B；800 mA CMOS Ultra Low Dropout Regulator 1.Description TheTCR8BMseriesareCMOSsingle-outputvoltageregulatorswithanon/offcontrolinput,featuringultralowdropoutvoltage,highPSRR,lowinrushcurrentandfastloadtransientresponse. Adifferentiatingfeatureistheuseofasecondarybiasrailasareferencevoltagethat	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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CAHCT1G00QDCKRQ1

文件：959.33 Kbytes

Page：22 Pages

Marking：1PB；Package：SC70；SN74AHCT1G00-Q1 Automotive 2-Input Positive-NAND Gates

1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications: –Devicetemperaturegrade1:-40°Cto+125°C –DeviceHBMESDclassificationlevel2 –DeviceCDMESDclassificationlevelC4B •Operatingrangeof4.5Vto5.5V •Lowpowerconsumption,10-μAmaximumICC •±8-mAoutputdriveat

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

CAHCT1G00QDCKRQ1

文件：1.14614 Mbytes

Page：25 Pages

Marking：1PB；Package：SC70；SN74AHCT1G00-Q1 Automotive 2-Input Positive-NAND Gates

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

TCR8BM115A

文件：1.18428 Mbytes

Page：15 Pages

Marking：1PB；Package：DFN5B；800 mA CMOS Ultra Low Dropout Regulator

1.Description TheTCR8BMseriesareCMOSsingle-outputvoltageregulatorswithanon/offcontrolinput,featuringultralowdropoutvoltage,highPSRR,lowinrushcurrentandfastloadtransientresponse. Adifferentiatingfeatureistheuseofasecondarybiasrailasareferencevoltagethat

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多1PB供应商更新时间2025-7-4 16:06:00

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