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LMBT2222ATT3G	文件：448.97 Kbytes Page：7 Pages	Marking：1P；Package：SC89；General Purpose Transistor NPN Silicon FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MM3Z5V6	文件：537.22 Kbytes Page：3 Pages	Marking：1P；Silicon Planar Zener Diodes FEATURES •Totalpowerdissipation:Max.200mW. •Widezenerreversevoltagerange2.0Vto75V. •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign. •Toleranceapproximately±5	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT2222	文件：399.99 Kbytes Page：4 Pages	Marking：1P；Package：SOT-23；TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN)	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT2222A	文件：1.26406 Mbytes Page：5 Pages	Marking：1P；Package：SOT-23；NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating •ComplementarytoMMBT2907A •PowerDissipationof300mW •HighStabilityandHighReliability MECHANICALDATA •Case:SOT-23(TO-236) •Terminals:PlatedsolderableperMIL-STD-750,method2026 •MountingPosition:Any •Marking:1P	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MMBT2222A	文件：470.33 Kbytes Page：3 Pages	Marking：1P；Package：SOT-23；NPN Transistors Features ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementaryPNPTypeavailable(MMBT2907A)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT2222A	文件：113.81 Kbytes Page：6 Pages	Marking：1P；Package：SOT-23；NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2222A	文件：211.6 Kbytes Page：8 Pages	Marking：1P；Package：SOT-23；NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2222A	文件：203.8 Kbytes Page：4 Pages	Marking：1P；Package：SOT-23；NPN General Purpose Amplifier FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryPNPtypeavailableMMBT2907A. •Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS •Useasamediumpoweramplifier. •Switchingrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2222A	文件：677.52 Kbytes Page：3 Pages	Marking：1P；Package：SOT-23；TRANSISTOR (NPN) NPNSilicon	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT2222A	文件：491.19 Kbytes Page：6 Pages	Marking：1P；Package：SOT-23；General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon •WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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详细参数

型号：
1P
功能描述：
CAP SWITCH BLUE
RoHS：
是
类别：
开关 >> 配件 - 帽盖
系列：
Multimec®
标准包装：
1
系列：
AP
开关类型：
按钮
形状：
圆形，凸起（圆顶）
颜色：
红
发光：
发光开口
适用于相关产品：
AP 系列
安装类型：
卡入式
尺寸：
12.35mm 直径 x 6.25mm H
特点：
-
配用：
AP2N006TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N003TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N002TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N006SZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N003SZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N002SZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP4N007SWBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N007TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N007SZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP4N006TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125V更多...
其它名称：
*481D03001

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1P供应商更新时间2025-7-4 11:43:00

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