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1N6742R	文件：60.06 Kbytes Page：2 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESOR Features • Passivated mesa structure for very low leakage currents • Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package • Low package inductance • 5000 Watts peak power • Very low thermal resistance • Available as standard polarity (strap-to-anode) and reverse “R” polar 文件：60.06 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N6742R	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESOR	Microchip 微芯科技	Microchip
1N6742	文件：60.06 Kbytes Page：2 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESOR Features • Passivated mesa structure for very low leakage currents • Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package • Low package inductance • 5000 Watts peak power • Very low thermal resistance • Available as standard polarity (strap-to-anode) and reverse “R” polar 文件：60.06 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
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更多1N6742R供应商更新时间2025-10-13 10:22:00