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1N6170	文件：104.01 Kbytes Page：2 Pages	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS 文件：104.01 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N6170	文件：111.37 Kbytes Page：3 Pages	1500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS Description Quick reference data VBR MIN = 6.12 -180V I(BR) = 5mA - 175mA VRWM = 5.2 - 152V VC (max) = 11V - 286V Features ◆ Low dynamic impedance ◆ 1500 watt peak pulse power ◆ 7.5W continuous at TL= 25°C 文件：111.37 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
1N6170	文件：133.43 Kbytes Page：5 Pages	1500W Bipolar Transient Voltage Suppressors 文件：133.43 Kbytes 页数：5 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
1N6170	文件：94.5 Kbytes Page：5 Pages	1500W Bipolar Transient Voltage Suppressors 文件：94.5 Kbytes 页数：5 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
1N6170	文件：47.69 Kbytes Page：4 Pages	1500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) 文件：47.69 Kbytes 页数：4 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
1N6170	文件：300 bytes Page：1 Pages	1500W Bipolar Transient Voltage Suppressors	Semtech 先之科	Semtech
1N6170	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：轴向；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 114VWM 216.2VC AXIAL	Semtech Corporation	Semtech Corporation
1N6170	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE	Microchip 微芯科技	Microchip
1N6170A	文件：89.67 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SURGE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS FEATURES • HIGH SURGE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS. • TRIPLE LAYER PASSIVATION. • SUBMINIATURE. • METALLURGICALLY BONDED. • VOIDLESS HERMETICALLY SEALED GLASS PACKAGE • DYNAMIC IMPEDANCE AND REVERSE LEAKAGE LOWEST AVAILABLE 文件：89.67 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N6170A	文件：41.46 Kbytes Page：3 Pages	Transient Voltage Suppressor Diode, 1500W Transient Voltage Suppressor Diode, 1500W • Hermetic, non-cavity glass package • Metallurgically bonded • Operating and Storage Temperature: -55°C to +175°C 文件：41.46 Kbytes 页数：3 Pages	SENSITRON	SENSITRON

产品属性

产品编号：
1N6170
制造商：
Semtech Corporation
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
114V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
135V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
216.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
6.9A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
安装类型：
通孔
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
轴向
描述：
TVS DIODE 114VWM 216.2VC AXIAL

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更多1N6170供应商更新时间2025-12-15 10:20:00

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