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1N60L-TND-R	文件：361.67 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60P	文件：139.82 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES Features ◇Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N60P	文件：239.88 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiodesSMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES30m/50mAMPERES40/45VOLTS Features: HighReliability LowReverseCurrentandLowForwardVoltage Applications: *LowCurrentRectificationandHighSpeedSwitching	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
1N60P	文件：310.86 Kbytes Page：2 Pages	GERMANIUMDIODES Features ·Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ·Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ·ExtremelylowreversecurrentlR ·Ultraspeedswitchingcharacteristics ·Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ·SatisfactoryWavedetectione	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
1N60P	文件：947.3 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE FEATURES ●Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction ●Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ●ExtremelylowreversecurrentIr ●Ultraspeedswitchingcharacteristics ●Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ●SatisfactoryWavedetectio	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N60P	文件：141.89 Kbytes Page：2 Pages	POINTCONTACTGERMANIUMDIODES POINTCONTACTGERMANIUMDIODES 1N60isapointcontactdiodeemployingN-fromGermaniumandgivesanefficientandexcellentlinearitywhenusedinTVimagedetection,FMdetection,radio,AMdetection,etc.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N60P	文件：72.86 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •ExtremelylowreversecurrentIR •Ultraspeedswitchingcharacteristics •Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics •Satisfactorywavedetectionefficiency	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N60P	文件：138.98 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier Features •HighReliability •LowReverseCurrentandLowForwardVoltage ·Marking:Cathodebandandtypenumber •MoistureSensitivity:Level1perJ-STD-020C MaximumRatings •Storage&OperatingJunctionTemperature:-65℃to+125℃	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
1N60P	文件：419.26 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifier Features •HighReliability •LowReverseCurrentandLowForwardVoltage ·Marking:Cathodebandandtypenumber •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) •MoistureSensitivityLevel1 MaximumRatings •Storage&	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N60P	文件：1.04021 Mbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES ReverseVoltage-40to45Volts ForwardCurrent-0.03/0.05Amperes FEATURES Fastswitchingforhighefficiency Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3kg)tension	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	1N60L-TO251T-TG	UTC/友顺	23+		477490	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	1N60L其他被动元件	UTC/友顺	23+	TO-92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多1N60L-TND-R供应商更新时间2025-5-24 15:23:00

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