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1N60P	文件：1.04021 Mbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES ReverseVoltage-40to45Volts ForwardCurrent-0.03/0.05Amperes FEATURES Fastswitchingforhighefficiency Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3kg)tension	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N60P	文件：88.26 Kbytes Page：2 Pages	POINTCONTACTGERMANIUMDIODE PointContactGermaniumDiodes 1N60isapointcontactdiodeemployingN-fromGermaniumandgivesanefficientandexcellentlinearitywhenusedinTVimagedetection,FMdetection,radio,AMdetection,etc.	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
1N60P	文件：80.99 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N60P	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. ExtremelylowreversecurrentIR Ultraspeedswitchingcharacteristics Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics SatisfactoryWavedetectionefficiency	DCCOM Dc Components	DCCOM
1N60P	文件：365.394 Kbytes Page：2 Pages	40VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N60P	文件：365.313 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N60P	文件：454.91 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •ExtremelylowreversecurrentIR •Ultraspeedswitchingcharacteristics •Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics •Satisfactorywavedetectionefficiency	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N60P	文件：72.98 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
1N60P	文件：75.86 Kbytes Page：1 Pages	SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODE	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
1N60P	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	1N60L-TN3-R	UTC(友顺)	2447	TO-252-2(DPAK)	105000	2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	1N60L-TN3-R	UTC	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	1N60L-TN3-R	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	1N60L-TN3-R	U	TO-252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	1N60L-TN3-R	UTC/友顺	23+	TO-252-2(DPAK)	22820	原装正品，支持实单	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	1N60L-TN3-R	UTC/友顺	2022+	TO-252	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
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