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1N60P	文件：80.99 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N60P	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. ExtremelylowreversecurrentIR Ultraspeedswitchingcharacteristics Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics SatisfactoryWavedetectionefficiency	DCCOM Dc Components	DCCOM
1N60P	文件：365.394 Kbytes Page：2 Pages	40VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N60P	文件：365.313 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N60P	文件：454.91 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •ExtremelylowreversecurrentIR •Ultraspeedswitchingcharacteristics •Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics •Satisfactorywavedetectionefficiency	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N60P	文件：72.98 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
1N60P	文件：75.86 Kbytes Page：1 Pages	SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODE	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
1N60P	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60P	文件：184.95 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features ◇Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N60P	文件：360.93 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE FEATURES ◇Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK

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详细参数

型号：
1N60G-A
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华博特电子有限公司	1N60G-AA3-R	UTC	20232024	SOT223	2537	老牌代理,长期现货	询价
深圳市硬核芯力电子科技有限公司	1N60G-AA3-R	UTC/友顺	21+	SOT223	5000	原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	1N60G-AA3-R	UTC/友顺	16	SOT223	790	原装正品可含税交易	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	1N60G-AA3-R	UTC/友顺	24+	SOT-223	2600	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	1N60G-AA3-R	友顺 UTC	23+	SOT-223	41330	原装正品，实单请联系	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	1N60G-AA3-R	UTC	24+	SOT-223	67540	现货库存,实单请给接受价格	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	1N60G-AA3-R	UTC	KM,RMAD	SOT-223	20000	原装现货17377264928微信同号	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	1N60G-AA3-R	UTC	24+	SOT223	5000	原装	询价
艾睿国际（香港）有限公司	1N60G-AA3-R	UTC(友顺)	2447	SOT-223	105000	2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市百域芯科技有限公司	1N60G-AA3-R	UTC/友顺	21+	SOT-223	23883	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价

更多1N60G-A供应商更新时间2025-6-24 14:02:00

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