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1N60P	文件：365.313 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N60P	文件：454.91 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •ExtremelylowreversecurrentIR •Ultraspeedswitchingcharacteristics •Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics •Satisfactorywavedetectionefficiency	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N60P	文件：72.98 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
1N60P	文件：75.86 Kbytes Page：1 Pages	SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODE	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
1N60P	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60P	文件：184.95 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features ◇Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N60P	文件：360.93 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE FEATURES ◇Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N60P	文件：123.63 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes ■Features ●VR40V ●IFAV30mA ■Applications ●Useinsuperhighspeedswitchingcircuits,smallcurrentrectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1N60P	文件：90.95 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
1N60P	文件：3.55111 Mbytes Page：2 Pages	HermeticallySealedGlassCasePointContactGermaniumDiode PRODUCTFEATURE 1N60isapointcontactdiodeemployingN-fromGermaniumandgivesanefficientandexcellentlinearitywhenusedinTVimagedetection,FMdetection,radio,AMdetection,etc.	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市腾润发科技有限公司	1N60C	FAIRCHILD/仙童	2022+	TO-252	30000	进口现货原盒原标假一罚十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	1N60C	瑞信	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	1N60C	瑞信	24+	NA/	20789	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	1N60C	VB	21+	TO-252	280	原装现货假一赔十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	1N60CP	中宝	2020+	DO-35	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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深圳市豪迈兴电子有限公司	1N60-D		24+	DO-7	5323	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
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