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1N5822	文件：37.84 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-20to40Volts FORWARDCURRENT-3.0Amperes FEATURES ●Metal-Semiconductorjunctionwithgardring ●Epitaxialconstruction ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0 ●Foruseinlowvlotage,highfrequencyi	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
1N5822	文件：50.94 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGERANGE20to40Volts CURRENT3.0Ampere FEATURES ·Fastswitching ·Lowforwardvoltage,highcurrentcapability ·Lowpowerloss,highefficiency ·Highcurrentsurgecapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:250℃/10seconds,0.373″(9.5mm)leadlengthAt5lbs.(2.3kg)tens	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
1N5822	文件：119.75 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE 20V ~ 40V 3.0AMP Schottky Barrier Rectifiers FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
1N5822	文件：99.13 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE: 20 TO 40V CURRENT: 3.0A VOLTAGE:20TO40VCURRENT:3.0A FEATURE •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed •250°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1N5822	文件：27.4 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES PRV:20-40Volts IO:3.0Ampere FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Highefficiency Lowpowerloss Lowcost *Lowforwardvoltagedrop	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N5822	文件：119.45 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3kg)tension •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
1N5822	文件：234.99 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Guardringforovervoltageprotection ♦Lowpowerloss,higherriciency ♦Highcurrent	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N5822	文件：139.56 Kbytes Page：3 Pages	3.0Amp. Axial Leaded Schottky Barrier Diodes Features •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications •PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Lowleakagecurrent •Highsurgecapability •Hightemperaturesoldering:250°C/10secon	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
1N5822	文件：65.459 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER ReverseVoltage-20to40Volts ForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurr	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5822	文件：164.67 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGERANGE20to40Volts CURRENT3.0Ampere FEATURES ·Fastswitching ·Lowforwardvoltage,highcurrentcapability ·Lowpowerloss,highefficiency ·Highcurrentsurgecapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:250℃/10seconds,0.373″(9.5mm)leadlengthAt5lbs.(2.3kg)tens	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS

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产品属性

产品编号：
1N5822
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
200pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

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