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1N5822	文件：36.84 Kbytes Page：3 Pages	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5822	文件：130.71 Kbytes Page：2 Pages	Schottky barrier rectifiers diodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
1N5822	文件：51.11 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT3.0Amperes FEATURES Lowswitchingnoise Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highswitchingcapabitity Highsurgecapability Highreliability	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
1N5822	文件：277.52 Kbytes Page：3 Pages	Axial Lead Schottky Power Rectifiers	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
1N5822	文件：245.89 Kbytes Page：2 Pages	3.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers FEATURES -Lowforwardvoltagedrop -Guardringforovervoltageprotection -Highsurgecurrentcapability -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N5822	文件：97 Kbytes Page：8 Pages	Axial Lead Rectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5822	文件：74.8 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT3.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5822	文件：65.08 Kbytes Page：2 Pages	3.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40Volts CURRENT3.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
1N5822	文件：346.36 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Verysmallconductionlosses •Extremelyfastswitching •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5822	文件：369.54 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT 3.0Amperes VOLTAGE 20 to 40 Volts Features ·PlasticPackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ·Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ·Guardringforovervoltageprotection ·Lowpowerloss,highefficiency ·Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ·Highsurgecapability	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN

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产品属性

产品编号：
1N5822
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
200pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5822供应商更新时间2025-7-2 16:20:00

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