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1N5821-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
1N5821-AP	文件：489.35 Kbytes Page：4 Pages	3 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 - 40 Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability •EpoxymeetsUL94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N5821-B	文件：61.69 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5821-B	文件：56.98 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5821-BP	文件：489.35 Kbytes Page：4 Pages	3AmpSchottkyBarrierRectifier20-40Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability •EpoxymeetsUL94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N5821G	文件：243.87 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5821G	文件：97 Kbytes Page：8 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5821-G	文件：69.39 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier ForwardCurrent:3.0AReverseVoltage:20to40V RoHSDevice Features -Fastswitching. -Lowforwardvoltage,highcurrentcapability. -Lowpowerloss,highefficiency. -Highcurrentsurgecapability. -Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlengtha	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5821H	文件：54.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT3.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequenc	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5821H	文件：172.39 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40Volts ForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES Halogen-freetype Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Guardringforovervoltageprotection Lowpowerloss,highefficiency,Highsurgecapability *Highcurrentcapability,lowfo	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE

产品属性

产品编号：
1N5821-A
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	1N5821-AP	Micro Commercial Co	25+	DO-201AD	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市科雨电子有限公司	1N5821A0G	TAIWAN	1809+	DO-201	6675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	1N5821-B	DIODES	22+	NA	12080	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市博中泰实业有限公司	1N5821-B	DIODES/美台	24+	NA	60000		询价
深圳市一线半导体有限公司	1N5821-E3/54	Vishay/GeneralSemiconduc	24+	DO-201ADAxial	7500		询价
深圳市达恩科技有限公司	1N5821-E3/54	Vishay	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
上海市鑫鸿达电子	1N5821-E3/54	General Semiconductor / Vishay	2022+		1	全新原装货期两周	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	1N5821-E3/54	GENERALSEMICONDUCTORVISHAY	2447	DO-201AD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	1N5821-E3/54	VISHAY/威世	23+	DO-201AC	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	1N5821-E3/54	VISHAY/威世	23+	DO-201AC	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多1N5821-A供应商更新时间2025-7-25 13:56:00

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