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1N5820PT	文件：81.02 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE20-40VoltsCURRENT3.0Amperes	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
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1N5820RL	文件：243.87 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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1N5820RLG	文件：97 Kbytes Page：8 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5820S	文件：28.16 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Highefficiency Lowpowerloss Lowcost Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5820-T	文件：56.98 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5820-T	文件：61.69 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5820-TB	文件：45.79 Kbytes Page：4 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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